STF7NM80技术参数详情：
STF7NM80是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）和6.5A连续漏极电流（Id），采用TO-220FP通孔封装，具备坚固的物理特性与宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）。
其技术优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.05欧姆，同时最大栅极电荷（Qg）低至18nC，这有助于降低导通和开关过程中的能量损耗，提升电源系统的整体效率。最大功率耗散为25W（Tc），确保了良好的热性能。
这些特性使其成为设计高效、高可靠性离线开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路以及电机控制等应用的理想选择，为工程师提供了在高压、高功率场景下优化能效与成本的优质解决方案。
- 型号:STF7NM80
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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