STF8N60DM2

STF8N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理能力。

其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至600毫欧（@4A），显著降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值13.5nC）有助于实现快速的开关切换，提升系统效率。这些特性使其成为开关电源、照明驱动和工业功率控制等应用中追求高效率与高可靠性的理想选择。

• 制造商产品型号：STF8N60DM2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh DM2
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：600 毫欧 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：449pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：25W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220FP
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