STGWA25M120DF3技术参数详情：
STGWA25M120DF3是意法半导体生产的一款1200V、50A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其优化的Vce(on)特性，在15V栅极驱动、25A集电极电流条件下，最大导通压降仅为2.3V，配合85nC的低栅极电荷，实现了导通损耗与开关损耗的良好平衡。
其开关性能参数突出，在标准测试条件下，开关能量总和较低，且具备100A的脉冲电流能力与175°C的最高结温，确保了在高频、高功率应用中的可靠性与效率。这些特性使其成为工业电机驱动、太阳能逆变器及UPS等中高功率转换系统的理想功率开关解决方案。
- 型号:STGWA25M120DF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:850J（导通），1.3mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:85 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/150ns
- 测试条件:600V，25A，15欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):265 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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