STF8NK85Z技术参数详情：
STF8NK85Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件核心规格为850V漏源电压（Vdss）与6.7A连续漏极电流（Id），采用TO-220FP通孔封装，具备35W的功率耗散能力。
其技术亮点在于优异的开关性能与导通特性平衡。在10V栅极驱动下，其最大导通电阻（Rds(on)）为1.4欧姆，同时栅极总电荷（Qg）最大值控制在60nC，这有助于实现高效率与低开关损耗。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高耐压与可靠性的功率开关场景。
- 型号:STF8NK85Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:850 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 3.35A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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