STF9N80K5

STF9N80K5是ST意法半导体MDmesh K5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与低至900毫欧（@3.5A，10V）的导通电阻（Rds(on)）的组合，这为高压应用提供了优异的导通性能与能效基础。

其技术参数针对高效开关应用进行了优化，例如最大12nC（@10V）的低栅极电荷（Qg）有助于降低开关损耗并支持更高的工作频率。同时，7A（Tc）的连续漏极电流额定值和宽达-55°C至150°C的结温工作范围，确保了其在苛刻环境下的可靠性与功率处理能力。

• 型号:STF9N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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