STF9NK60ZD

STF9NK60ZD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperFREDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与7A连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与优化开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻表现优异，有助于最小化传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心设计，有利于实现快速的开关速度，从而降低开关损耗，提升系统在较高频率下的工作效率。这些特性使其成为开关电源、功率转换及电机控制等应用中追求效率与可靠性的理想选择。

• 型号:STF9NK60ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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