STFH24N60M2技术参数详情：
STFH24N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与18A连续漏极电流（Id），专为高压、大电流的开关应用而设计。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至190毫欧（@9A），有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大29nC @10V）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统工作频率与整体能效。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中关键功率开关的理想选择。
- 型号:STFH24N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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