T835H-6T技术参数详情：
T835H-6T是ST意法半导体生产的一款高性能、无缓冲器型三端双向可控硅（TRIAC），采用TO-220AB封装。其核心参数包括600V的断态电压和8A的RMS通态电流，为通用交流线路的功率控制提供了坚实的基础。
该器件的突出优势在于其灵敏的栅极驱动特性，最大触发电压仅1V，触发电流35mA，可直接兼容微控制器接口，简化了驱动电路设计。同时，高达80A/84A的浪涌电流承受能力和增强的dV/dt耐受性，使其能够可靠应对电机启动、灯丝冲击等严苛的瞬态条件，确保系统稳定运行。
- 型号:T835H-6T
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
- 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
- 电压 - 断态:600 V
- 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:8 A
- 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1 V
- 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A，84A
- 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:35 mA
- 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:35 mA
- 配置:单路
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
- 现在可以订购T835H-6T，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
