STFH40N60M2

STFH40N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和34A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

该器件的关键优势在于实现了优异的性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）低至88毫欧（@10V， 17A），有助于最小化传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg， 最大57nC @10V）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，这对于提升开关电源和电机驱动等应用的效率至关重要。器件采用TO-220FP封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在各种环境下的可靠性与耐用性。

• 型号:STFH40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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