STFI10LN80K5

STFI10LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用I2PAKFP（TO-281）通孔封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），专为应对高压、高功率应用挑战而设计。

其技术优势体现在优异的开关与导通性能平衡上。在10V驱动电压下，最大导通电阻（Rds(on)）仅为630毫欧（@4A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值15nC @10V）和输入电容确保了快速的开关速度，有助于提升系统整体效率与工作频率。这些特性使其非常适用于开关电源、功率因数校正及工业驱动等对效率和可靠性要求苛刻的场合。

• 型号:STFI10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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