STFI11N60M2-EP技术参数详情：
STFI11N60M2-EP是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK-FP封装。其核心卖点在于600V的高压阻断能力与7.5A（Tc=25°C）的连续电流处理能力，这使其非常适合用于高压功率转换场景。
该器件基于MDmesh M2技术，旨在优化导通电阻与开关损耗之间的平衡，从而提升系统整体能效。其坚固的封装设计也确保了良好的热性能，适用于对可靠性要求较高的工业电源和电机控制应用。
- 型号:STFI11N60M2-EP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAKFP（TO-281）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:595 毫欧 @ 3.75A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:390 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）
- 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
- 现在可以订购STFI11N60M2-EP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
