STS4DPF30L技术参数详情：
STS4DPF30L是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的双P沟道MOSFET阵列，集成于8-SOIC封装内。该器件针对30V及以下电压应用优化，具备4A的连续漏极电流能力和低至80毫欧（@10V，2A）的导通电阻，有效降低了导通损耗。
其电气特性突出，包括最大1V的低栅极阈值电压和仅16nC（@5V）的栅极电荷，确保了器件易于驱动并具备快速的开关速度。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）与2W的功耗能力，使其能够满足工业环境对可靠性的要求。这款双MOSFET阵列为空间紧凑型设计中的高端开关、电源管理和电机驱动等应用提供了高集成度的解决方案。
- 型号:STS4DPF30L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 个 P 沟道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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