STFI13N60M2

STFI13N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用先进的超级结技术，核心优势在于实现了高耐压与低损耗的优异结合，其漏源电压（V_dss）高达600V，连续漏极电流（I_d）可达11A，适用于高压功率处理场合。

其关键电气参数表现出色：导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为380毫欧（@5.5A， 10V），有效降低了导通状态下的功率损耗；同时，栅极电荷（Q_g）最大值低至17nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升整体系统效率。器件采用I2PAKFP（TO-281）通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STFI13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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