STB200NF04-1技术参数详情：
STB200NF04-1是STMicroelectronics生产的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、90A Id条件下，Rds(On)最大值仅为3.7mΩ，这使其能够高效处理高达120A的连续漏极电流，显著降低导通状态下的功率损耗。
该器件设计用于严苛的功率管理环境，漏源电压额定值为40V，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，最大功率耗散为310W。其较低的栅极电荷和优化的动态特性，有助于实现快速的开关切换，适用于要求高效率和高可靠性的同步整流及大电流开关电路。
- 型号:STB200NF04-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 90A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:210 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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