STFI13N65M2

STFI13N65M2是ST意法半导体基于MDmesh M2技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其650V的高漏源击穿电压与低至430毫欧（@5A，10V）的导通电阻的出色结合，这使其在高电压应用中能有效降低导通损耗，提升系统效率。

此外，其优化的动态特性，如最大17nC的栅极电荷和590pF的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关损耗并允许更高频率的操作。器件采用I2PAKFP（TO-281）通孔封装，在壳温25°C下可支持10A的连续漏极电流，最高结温达150°C，为各种功率转换和电机控制应用提供了可靠的解决方案。

• 型号:STFI13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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