STFI13N80K5技术参数详情：
STFI13N80K5是ST意法半导体基于MDmesh K5技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其800V的漏源电压（Vdss）与12A的连续漏极电流（Id）能力，结合低至450毫欧的导通电阻（Rds(on)），旨在显著降低高压开关应用中的传导损耗。
其技术亮点还包括优化的开关特性，最大栅极电荷（Qg）仅为29nC，有助于实现更高的开关频率并降低驱动损耗。器件采用I2PAKFP通孔封装，最大功率耗散35W，工作结温范围-55°C至150°C，为电源转换和电机控制等应用提供了坚固可靠的解决方案。
- 型号:STFI13N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-281（I2PAKFP）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
- 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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