STFI14N80K5

STFI14N80K5是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用通孔I2PAKFP（TO-281）封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的开关性能与导通特性平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为445毫欧 @ 6A，同时栅极总电荷（Qg）控制在22nC以内。这些参数共同作用，旨在显著降低功率转换过程中的传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。该器件适用于开关电源、工业控制等对高压处理能力和能效有较高要求的领域。

• 型号:STFI14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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