STB140NF75T4

STB140NF75T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET III技术，封装形式为D2PAK。该器件设计用于高效处理大功率，其核心电气参数包括75V的漏源电压（Vdss）以及在管壳温度下高达120A的连续漏极电流（Id）。

其关键性能优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、70A Id条件下典型值仅为7.5mΩ，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大218nC @10V）有助于实现快速的开关速度，减少开关损耗。这些特性使其成为要求高效率和可靠性的功率开关应用的理想选择。

• 型号:STB140NF75T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 70A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:218 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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