STFI15N95K5技术参数详情：
STFI15N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用I2PAKFP通孔封装，核心优势在于其950V的高漏源击穿电压（Vdss）与优化的动态开关特性的平衡。
其关键参数包括：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至500毫欧（@5.5A），有助于减少导通损耗；栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC，有利于实现高速开关并降低驱动损耗。器件额定连续漏极电流为7.5A，最大功耗30W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为高压功率转换应用提供了坚实的性能基础。
- 型号:STFI15N95K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-281（I2PAKFP）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 7.5A I2PAKFP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:855 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
- 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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