STFI20NK50Z技术参数详情：
STFI20NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，核心电气参数针对高效功率转换进行了优化。
其关键特性包括高达500V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id）处理能力，结合低至270毫欧的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通损耗，提升系统效率。此外，119nC的栅极电荷（Qg）和150°C的最大工作结温（Tj）使其能够胜任对可靠性和动态性能有较高要求的工业电源与电机控制应用。
- 型号:STFI20NK50Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-281（I2PAKFP）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 17A I2PAKFP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
- 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
- 现在可以订购STFI20NK50Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
