STFI260N6F6

STFI260N6F6是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于融合了DeepGATE与STripFET VI技术的产品系列。该器件设计用于高效处理功率，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS、60A I_D条件下最大值仅为3毫欧，这能显著降低传导损耗，提升系统效率。

器件额定电压为60V，在壳温条件下可承受高达80A的连续电流，并采用散热性能良好的I2PAKFP（TO-281）通孔封装。其栅极电荷（Q_g）最大值控制在183nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。这些特性使其成为中高功率开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用的理想功率开关解决方案。

• 型号:STFI260N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAKFP（TO-281）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:41.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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