STW17N62K3技术参数详情：
STW17N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心规格包括620V的漏源电压（Vdss）和15.5A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大仅为380毫欧，有效降低了通态损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。这些特性使其在提升系统整体效率方面表现突出。
该器件设计工作结温高达150°C，功率耗散能力为190W，确保了在 demanding 环境下的热可靠性。它主要面向开关电源、电机驱动和功率校正等需要高效能开关解决方案的工业与消费电子领域。
- 型号:STW17N62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 15.5A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购STW17N62K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
