STFI28N60M2

STFI28N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和22A（Tc）的连续漏极电流能力，提供了坚固的电压阻断和高电流处理性能。

该MOSFET的关键优势在于其优化的动态特性，其最大导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下仅为150毫欧，同时最大栅极电荷（Qg）低至36nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的结合，有效降低了功率转换系统中的传导损耗和开关损耗，有助于提升整体效率并允许更高频率的操作。器件采用I2PAKFP（TO-281）通孔封装，最大结温为150°C，适用于对热管理和可靠性有要求的工业级电源与电机控制应用。

• 型号:STFI28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 22A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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