STGF10H60DF技术参数详情：
STGF10H60DF是ST意法半导体生产的一款600V、20A沟槽型场截止IGBT，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其优化的导通与开关特性平衡，在10A电流、15V栅极驱动下的典型饱和压降仅为1.95V，有助于降低系统导通损耗。其开关能量与延迟时间经过优化，兼顾了开关速度与损耗控制。
此外，器件支持高达40A的脉冲电流和175°C的结温工作，提供了良好的过载能力与温度裕量。30W的功率处理能力和标准的通孔封装使其易于在各类中功率转换与电机驱动设计中实现集成与散热管理，适用于对效率与可靠性有要求的工业及消费类应用。
- 型号:STGF10H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-220FP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A
- 功率 - 最大值:30 W
- 开关能量:83J（导通），140J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:57 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns
- 测试条件:400V，10A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):107 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220FP
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