STFI40N60M2

STFI40N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（V_DSS）和34A连续漏极电流（I_D），为高压、大电流开关应用提供了坚实的硬件基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）表现突出，能有效降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Q_G）有助于实现快速开关并减少驱动需求，从而提升整体电源系统的效率和功率密度。这些特性使其成为工业电源、功率转换及电机控制等领域的理想选择。

• 型号:STFI40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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