STF3LN62K3技术参数详情：
STF3LN62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压额定值，能够为高压应用提供可靠的开关基础。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合。在10V驱动下，导通电阻典型值仅为3欧姆，有助于减少导通损耗；同时，最大17nC的栅极电荷确保了快速的开关切换，有利于提升系统在高频工作时的效率。器件采用TO-220FP绝缘封装，支持高达150°C的结温工作，具备优秀的功率处理能力和热可靠性。
- 型号:STF3LN62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:386 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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