STFI6N80K5

STFI6N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用I2PAKFP封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和4.5A的连续漏极电流（Id），为应对高压环境提供了坚实的保障。

其技术优势体现在优异的开关性能与导通特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.6欧姆，同时栅极电荷（Qg）低至13nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的结合，显著降低了功率转换过程中的传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率。该器件适用于要求高可靠性和高效率的开关电源拓扑结构。

• 型号:STFI6N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
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