STL24N65M2技术参数详情：
STL24N65M2是ST意法半导体基于MDmesh M2技术制造的一款N沟道高压功率MOSFET。该器件额定值为650V漏源电压和14A连续漏极电流，采用先进的超结技术，在7A电流和10V栅极驱动下，其导通电阻最大值仅为250毫欧，同时保持了较低的栅极电荷（典型29nC），有效优化了导通损耗与开关损耗的平衡。
其采用热性能优异的表面贴装PowerFlat HV（8x8）封装，支持高达125W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些特性使其成为适用于开关电源（SMPS）初级侧、功率因数校正（PFC）及高频工业电源等追求高效率和高功率密度应用的可靠解决方案。
- 型号:STL24N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 14A PWRFLAT HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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