STFI9N80K5

STFI9N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心参数包括800V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的开关性能与导通特性平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至900毫欧（@3.5A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为12nC（@10V）。这种组合有效降低了导通与开关过程中的功率损耗，提升了整体能效。器件采用I2PAKFP通孔封装，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于要求严苛的工业级电源设计。

• 型号:STFI9N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
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