STFU13N65M2技术参数详情：
STFU13N65M2是ST意法半导体推出的MDmesh M2系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于结合了650V的高耐压与低至430毫欧（@5A,10V）的导通电阻，这得益于先进的超结技术，能有效降低高压应用中的传导损耗。
该器件在25°C壳温下可连续通过10A电流，最大结温达150°C，热性能可靠。17nC的低栅极电荷和590pF的输入电容有助于实现快速开关并降低驱动需求，提升系统效率。这些特性使其成为工业电源、PFC电路、UPS及电机驱动等高压、高效功率转换设计的优选功率开关元件。
- 型号:STFU13N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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