STFU15NM65N

STFU15NM65N是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其650V的漏源电压和12A的连续电流处理能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了导通损耗与开关损耗的优异平衡。在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至380毫欧（@6A），同时栅极电荷（Qg）仅为33.3nC，这有助于显著降低系统的传导损耗和开关损耗，提升整体能效。结合其高达150°C的结温工作范围和30W的功率耗散能力，该器件非常适合用于构建高效率、高可靠性的功率转换解决方案。

• 型号:STFU15NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:983 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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