STFU23N80K5技术参数详情：
STFU23N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和16A的连续漏极电流（Id），为高压功率应用提供了坚实的电压与电流处理能力。
其技术优势体现在优异的动态与静态参数上：最大280毫欧的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，而最大33nC的低栅极电荷（Qg）则确保了快速的开关切换，减少开关损耗。这些特性共同提升了电源系统的整体效率。该器件设计工作结温高达150°C，适用于工业电源、电机驱动、UPS及照明系统等要求高可靠性和高效率的功率转换领域。
- 型号:STFU23N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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