STFU24N60M2技术参数详情：
STFU24N60M2是ST意法半导体MDmesh M2系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其600V/18A的额定值，结合其低至190毫欧（@10V，9A）的导通电阻和仅29nC的栅极电荷，在高压应用中实现了优异的导通损耗与开关损耗平衡。
其技术特性支持高效率与高频率运行，适用于开关电源、电机驱动等功率转换领域。宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和30W的功率耗散能力确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STFU24N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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