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STGP30H65F
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：单路IGBT，TO-220
技术参数：IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
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技术参数详情：
ST意法半导体公司完整型号：STGP30H65F制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）描述：IGBT 650V 60A 260W TO-220AB系列：-IGBT 类型：沟道和场截止电压 - 集射极击穿（最大值）：650V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：120A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.4V @ 15V，30A功率 - 最大值：260WSwitching Energy：350J （开）， 400J （关）输入类型：标准Gate Charge：105nC25°C 时 Td（开/关）值：50ns/160nsTest Condition：400V, 30A, 10 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-封装/外壳：TO-220-3安装类型：通孔供应商器件封装：TO-220现在可以订购STGP30H65F，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
