STGP30H65F技术参数详情：
STGP30H65F是ST意法半导体生产的一款650V、60A IGBT，采用TO-220AB通孔封装。该器件基于沟道和场截止技术，在30A电流、15V栅极驱动下的典型饱和压降仅为2.4V，实现了优异的导通性能与低导通损耗。
其开关特性经过优化，具备快速的开关速度（开/关延迟典型值50ns/160ns）和较低的栅极电荷（105nC），有助于降低开关损耗并支持更高频率的应用设计。此外，器件支持高达120A的脉冲电流，最大功耗260W，为电机驱动、变频电源等应用中的瞬时过载情况提供了可靠的性能裕量。
- 型号:STGP30H65F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:260 W
- 开关能量:350J（导通），400J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:105 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:50ns/160ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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