STFU25N60M2-EP技术参数详情：
STFU25N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与18A连续漏极电流（Id），专为高效、高可靠性的高压开关应用而设计。
其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的优化结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至188毫欧，同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为29nC。这一特性组合能显著降低系统的导通与开关损耗，提升整体能效。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在恶劣环境下的稳定运行。
- 型号:STFU25N60M2-EP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:188 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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