STD3NK100Z技术参数详情：
STD3NK100Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。其核心卖点在于高达1000V的漏源电压（Vdss）承受能力，结合2.5A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件在电气性能上进行了优化，其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、1.25A Id条件下最大值为6欧姆，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值18nC @ 10V）确保了快速的开关速度，有利于提升高频开关电源的效率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并支持±30V的栅源电压，展现出强大的环境适应性和驱动鲁棒性。
- 型号:STD3NK100Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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