STFU6N65

STFU6N65是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。其核心优势在于650V的高漏源电压额定值，能够有效抵御高压应用中的电压应力，同时提供4A的连续电流处理能力。

该器件在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻（典型值2.7欧姆 @ 2A），有助于减少导通损耗，提升电源转换效率。其设计兼顾了驱动简便性与鲁棒性，支持±30V的宽栅源电压范围，并能在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，适用于要求严苛的工业环境。

• 型号:STFU6N65
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:463 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:620mW（Ta），77W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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