M68AW128ML70ZB6技术参数详情：
M68AW128ML70ZB6是ST意法半导体推出的一款2Mb容量异步并行SRAM存储器芯片。其核心架构组织为128K x 16位，提供70ns的快速访问时间和写周期时间，能够在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，确保了数据读写的速度和可靠性。
该器件采用48-TFBGA表面贴装封装，支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，适用于对环境适应性要求较高的应用。其标准的并行接口和易失性存储特性，使其成为需要高速数据缓冲、临时存储或作为微处理器外部扩展内存的理想解决方案。
- 型号:M68AW128ML70ZB6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:48-TFBGA（7x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:SRAM
- 技术:SRAM - 异步
- 存储容量:2Mb
- 存储器组织:128K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（7x12）
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