STFU9N65M2

STFU9N65M2是ST意法半导体推出的MDmesh M2系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压与低至900毫欧的导通电阻的出色结合，这得益于其先进的超结技术，旨在显著降低高压应用中的传导损耗。

其动态特性同样优异，具备较低的栅极电荷（10nC）和输入电容，有利于实现高速开关并降低驱动损耗，提升高频开关电源的效率。器件额定连续漏极电流为5A，最大功率耗散20W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在各类功率转换场景下的鲁棒性和长期可靠性。

• 型号:STFU9N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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