STFW12N120K5

STFW12N120K5是ST意法半导体基于MDmesh K5技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件额定值为1200V漏源电压（V_DSS）和12A连续漏极电流（I_D），其核心优势在于极低的导通电阻（R_DS(on)最大690mΩ @10V）与优化的栅极电荷（Q_G），这显著降低了导通与开关损耗，提升了高压开关应用的效率。

器件采用ISOWATT-218FX通孔封装，提供良好的热性能和63W的功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的高可靠性。这些特性使其成为工业电源、太阳能逆变器和电机驱动等高压、高效能应用的理想选择。

• 型号:STFW12N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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