STFW1N105K3

STFW1N105K3是意法半导体推出的一款高压N沟道MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其1050V的高漏源电压（V_DSS）额定值，为高压离线式应用提供了坚实的耐压保障。

在性能上，它在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻（R_DS(on)）和极小的栅极电荷（Q_g），这共同实现了更低的导通损耗与更快的开关速度，有助于提升电源系统的整体效率。其采用的ISOWATT-218FX通孔封装确保了良好的热管理，支持20W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足工业级应用的可靠性要求。

• 型号:STFW1N105K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.4A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:180 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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