STFW20N65M5

STFW20N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M5产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的优异结合。

其额定参数包括650V的漏源电压（V_dss）和18A（T_c）的连续漏极电流，为高压大功率应用提供了坚实的基础。关键特性表现为极低的导通电阻（190mΩ @ 9A, 10V）和优化的栅极电荷（36nC @ 10V），这直接转化为更高的系统效率和更高的工作频率潜力。器件采用ISOWATT-218FX通孔封装，确保了良好的热管理和电气隔离性能。

• 制造商产品型号：STFW20N65M5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 18A ISOWATT
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：36nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1434pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：48W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：ISOWATT-218FX
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