STFW3N150

STFW3N150是ST意法半导体推出的一款高压N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件专为应对高效、高可靠性功率转换挑战而设计，其核心优势在于高达1500V的漏源电压（V_DSS）与优化的低导通电阻特性，能够在高压工况下显著降低导通损耗。

该MOSFET在10V栅极驱动下具备优异的开关性能，其较低的栅极电荷（Q_g，最大值29.3nC）有助于实现快速开关并减少驱动损耗。器件采用ISOWATT-218FX通孔封装，支持最高150°C的结温（T_J）和63W（T_C）的功率耗散能力，确保了出色的热管理和长期运行稳定性。这些特性使其成为工业电源、可再生能源逆变器及高压辅助电源等应用的理想功率开关解决方案。

• 型号:STFW3N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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