STFW42N60M2-EP技术参数详情：
STFW42N60M2-EP是ST意法半导体MDmesh M2系列中的一款N沟道功率MOSFET，专为要求高效率和高可靠性的应用而设计。该器件采用ISOWATT-218FX通孔封装，提供600V的漏源电压和34A的连续漏极电流能力，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值87mΩ @ 10V, 17A）与优化的栅极电荷（最大55nC @ 10V）的出色结合。
这一特性组合显著降低了传导与开关损耗，有助于提升电源系统的功率密度和整体能效。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛工业环境下的稳定运行，适用于开关电源、电机驱动和功率转换等关键领域。
- 型号:STFW42N60M2-EP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3PF
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-3PF
- 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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