E-L6385D013TR技术参数详情：
E-L6385D013TR是ST意法半导体生产的一款半桥栅极驱动器集成电路，采用8-SOIC封装。该器件设计用于驱动IGBT和N沟道MOSFET，其高侧驱动部分支持高达600V的自举电压，极大简化了高压侧电源设计。
它提供强劲的驱动能力，峰值拉出和灌入电流分别达到650mA和400mA，结合50ns和30ns的典型快速开关时间，能有效优化功率器件的开关性能，降低损耗。其逻辑接口兼容宽阈值电压，并可在-40°C至150°C的结温范围内稳定工作，适用于要求高可靠性的工业功率应用。
- 型号:E-L6385D013TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:17V（最大）
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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