STFW69N65M5

STFW69N65M5是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于先进的MDmesh V产品系列。该器件采用ISOWATT-218FX通孔封装，核心额定参数为650V漏源电压（Vdss）和58A连续漏极电流（Id），专为高压、大电流的开关应用而设计。

其技术优势主要体现在极低的导通损耗和优化的开关特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为45毫欧@29A，配合143nC的最大栅极电荷（Qg），有效平衡了导通与开关损耗，有助于提升系统整体能效。高达150°C的最大结温（TJ）和79W的功率耗散能力，确保了其在苛刻环境下的可靠运行。

• 型号:STFW69N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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