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STG200G65FD8AG
- 制造厂商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:模具
- 技术参数：IGBT TRENCH FS 650V 200A DIE
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STG200G65FD8AG技术参数详情：
- 型号:STG200G65FD8AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:模具
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 200A DIE
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):600 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，200A
- 功率 - 最大值:-
- 开关能量:5.34mJ（导通），6.23mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:701 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:66.2ns/442.7ns
- 测试条件:400V，200A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:模具
- 供应商器件封装:模具
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