STGAP2HSMTR技术参数详情：
STGAP2HSMTR是意法半导体（STMicroelectronics）旗下的一款有源、单通道隔离栅极驱动器，属于隔离器-栅极驱动器系列。该器件采用容性耦合技术，实现了高达5000Vrms的电气隔离和优异的100V/ns共模瞬变抗扰度，确保在恶劣的噪声环境中信号传输的完整性与系统安全。
其核心优势在于强大的驱动能力与快速的开关性能。它提供4A的峰值输出电流，能够高效驱动IGBT、SiC MOSFET等功率开关。同时，其最大传播延迟仅为90ns，脉宽失真低至20ns，结合30ns的典型上升/下降时间，为高频、高精度功率转换应用提供了关键的时序控制保障。器件工作温度范围宽达-40°C至125°C，采用8-SOIC表面贴装封装，适用于要求高可靠性与高功率密度的紧凑型设计。
- 型号:STGAP2HSMTR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SO
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:容性耦合
- 通道数:1
- 电压 - 隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度（最小值）:100V/ns
- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:90ns，90ns
- 脉宽失真（最大）:20ns
- 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns
- 电流 - 输出高、低:4A，4A
- 电流 - 峰值输出:4A
- 电压 - 正向 (Vf)（典型值）:-
- 电流 - DC 正向 (If)（最大值）:-
- 电压 -输出供电:3V ~ 5.5V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SO
- 认证机构:UL
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