STGB10H60DF技术参数详情：
STGB10H60DF是意法半导体推出的一款600V、20A的沟槽型场截止IGBT，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在10A电流下最大饱和压降仅为1.95V，同时具备快速的开关速度（开启延迟19.5ns）和较低的开关能量损耗，有助于提升系统整体效率。
该器件设计坚固可靠，最大功耗115W，结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。其标准电平驱动接口和较低的栅极电荷（57nC）简化了驱动电路设计。这些特性使其成为工业电机驱动、变频电源、UPS及新能源逆变器等中功率开关应用的理想解决方案。
- 型号:STGB10H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 20A TO-263
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，10A
- 功率 - 最大值:115 W
- 开关能量:83J（导通），140J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:57 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:19.5ns/103ns
- 测试条件:400V，10A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):107 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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