STGWA30H65DFB技术参数详情：
STGWA30H65DFB是ST意法半导体推出的一款650V、60A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在30A电流下典型饱和压降仅为2V，同时开关能量（开/关）分别低至382J和293J，有助于提升系统整体效率。
该器件设计稳健，支持高达120A的脉冲电流，工作结温范围宽至-55°C至175°C，确保了在工业级应用中的高可靠性。其149nC的低栅极电荷和快速的开关特性，使其成为电机驱动、UPS、太阳能逆变器等中高功率开关电源和功率转换应用的理想选择。
- 制造商产品型号：STGWA30H65DFB
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：HB
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：120A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
- 功率-最大值：260W
- 开关能量：382J（开），293J（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：149nC
- 25°C时Td（开/关）值：46ns/146ns
- 测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：140ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
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